Deposición por pulverización catódica

· Deposición por pulverización catódica

Cuando se bombardean con partículas de alta energía en la superficie sólida, las partículas en la superficie sólida pueden obtener energía y escapar de la superficie, y se depositan en el sustrato. producción industrial después de 1930 debido al aumento de la tasa de deposición, generalmente el material se deposita en un objetivo de placa, fijado en el cátodo El sustrato se coloca en el ánodo directamente opuesto a la superficie del objetivo, a unos pocos centímetros del objetivo, el sistema se bombea a un alto vacío y luego se llena con 10~1 pa de gas (generalmente argón). Se aplica un voltaje de varios miles de voltios entre el cátodo y el ánodo, y se genera una descarga luminiscente entre los polos. Descarga los iones positivos en el campo eléctrico bajo la acción de volar al cátodo, y la colisión atómica de la superficie objetivo, la colisión de escape del átomo objetivo de la superficie objetivo llamado átomo de pulverización, la energía en el rango de 1 a docenas de electronvoltios Átomo de pulverización en la película de deposición de la superficie del sustrato con diferente recubrimiento de evaporación, recubrimiento de pulverización sin estar limitado por el punto de fusión del material de la membrana, Ta pulverización WC Mo WC TiC y otras películas de compuestos de pulverización de sustancias refractarias se pueden usar mediante el método de pulverización reactiva, es decir, el gas de reacción (ON HS CH, etc.) agregado al gas Ar, el gas de reacción y sus iones y los átomos objetivo o los átomos de pulverización reaccionan para generan compuestos (como nitruro de óxido, etc.) y se depositan sobre el sustrato. La película aislante depositada se puede usar mediante el método de pulverización catódica de alta frecuencia. El sustrato objetivo en el electrodo de puesta a tierra, el aislamiento se instala en el electrodo opuesto. La red y la capacitancia de CC recibidas se llenaron con el electrodo de aislamiento de la placa de aislamiento conectado a la fuente de alimentación de alta frecuencia, el plasma de polaridad de cambio de voltaje de alta frecuencia de electrones e iones positivos en el medio ciclo positivo de voltaje y el medio ciclo negativo respectivamente al aislamiento en el objetivo porque el La movilidad de los electrones es mayor que el ion positivo, la superficie del objetivo aislante con carga negativa, en equilibrio dinámico, el objetivo tiene un potencial de polarización negativa, por lo que la pulverización catódica de iones positivos en el objetivo continúa utilizando la pulverización catódica del magnetrón puede hacer que la tasa de deposición sea mayor que la la pulverización catódica sin magnetrón aumenta casi un orden de magnitud

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