Deposición por pulverización catódica de PVD
Oct 27, 2025| Deposición por pulverización
Principio: en una cámara de vacío, un campo eléctrico de alto-voltaje ioniza un gas inerte (como Ar) para generar plasma. Los iones Ar⁺ cargados positivamente, bajo la aceleración del campo eléctrico, bombardean la superficie del material objetivo. A través de la transferencia de impulso, los átomos del material objetivo se "pulverizan" (en estado gaseoso) y luego se depositan sobre la superficie del sustrato para formar una película. Ventajas principales: fuerte adhesión entre la película y el sustrato, alta uniformidad de composición (cercana a la composición del material objetivo) y una amplia gama de materiales depositables (metales, aleaciones, cerámicas, compuestos, etc.). Tecnologías convencionales La pulverización catódica con magnetrones (magnetrón sputtering) es la tecnología de pulverización catódica más utilizada en semiconductores. Al limitar la trayectoria del movimiento de los electrones a través de un campo magnético, se prolonga el tiempo de colisión entre los electrones y el gas, aumenta la densidad del plasma, mejorando así la eficiencia de la pulverización catódica y la tasa de deposición de películas delgadas, al tiempo que se reduce el aumento de temperatura del sustrato. Adecuado para sustratos semiconductores-sensibles al calor (como obleas de silicio).
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