El proceso de acción de iones

El proceso de acción del enchapado de iones es el siguiente: la fuente de evaporación conecta el ánodo, la pieza de trabajo conecta el cátodo, cuando se conecta con tres a cinco mil voltios de alto voltaje de CC, la fuente de evaporación y la pieza de trabajo producen una descarga luminosa. Debido al gas argón inerte en la cubierta de vacío, parte del gas argón se ioniza bajo la acción del campo eléctrico de descarga, formando así un área oscura de plasma alrededor de la pieza de trabajo del cátodo. Atraído por la alta presión negativa del cátodo, el ion de argón cargado positivamente bombardea la superficie de la pieza de trabajo con fiereza, haciendo que las partículas superficiales y la suciedad de la pieza de trabajo se salpiquen, de modo que la superficie de la pieza de trabajo que se va a chapar esté completamente limpia por ion bombardeo. Posteriormente, la fuente de alimentación de CA de la fuente de evaporación se enciende, y las partículas de material de evaporación se funden y evaporan, ingresan al área de descarga luminiscente y se ionizan. Los iones de material evaporativo cargados positivamente, bajo la atracción del cátodo, corren hacia la pieza de trabajo junto con los iones de argón. Cuando los iones de material evaporativo depositados en la superficie de la pieza de trabajo exceden el número de iones de derrame, se acumulan gradualmente para formar una capa de recubrimiento firmemente adherida a la superficie de la pieza de trabajo. Este es el proceso simple de enchapado de iones.

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