Tecnología PVD cuatro pasos de proceso

Tecnología PVD cuatro pasos del proceso (1) limpieza de la pieza de trabajo: colocar la fuente de alimentación de CC, descarga de resplandor de argón como ión argón, bombardeo de iones argón de la superficie de la pieza de trabajo, partículas de la superficie y partes sucias de la pieza de trabajo; (2) la gasificación del material de recubrimiento: es decir, después de la introducción de corriente alterna, la vaporización del material de recubrimiento. (3) migración de iones de material de recubrimiento: después de la colisión y el campo eléctrico de alto voltaje, los átomos, moléculas o iones de la fuente de gasificación se precipitaron a la pieza de trabajo a alta velocidad; (4) los átomos, las moléculas o los iones del material de recubrimiento se depositan en el sustrato: cuando los iones del material de evaporación en la superficie de la pieza de trabajo exceden el número de iones de derrame, se acumulan gradualmente para formar una capa de recubrimiento firmemente adherida a la superficie del pieza de trabajo Después de la ionización de partículas del revestimiento iónico, el material de evaporación tiene tres mil de la energía cinética de cinco mil voltios de electrones, artefactos de bombardeo de alta velocidad, no solo la velocidad de depósito es rápida y puede penetrar la superficie, formando una capa de difusión profunda en la matriz , la profundidad de difusión de la interfaz del enchapado de iones sería de cuatro a cinco micras, es decir, que la profundidad de difusión del revestimiento de vacío normal decenas de veces, incluso cien veces, y se adhirieron entre sí tan rápido.

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