Parámetros principales que afectan la película de sputtering

Parámetros principales que afectan la película de sputtering

La tasa de deposición se refiere al espesor de la película depositada en el sustrato en tiempo unitario por los materiales que emanan chispas del objetivo, que es proporcional a la tasa de pulverización. Tener las siguientes relaciones:

qt = CIh

Qt - representa la tasa de deposición;

C - constantes que representan las características del dispositivo de pulverización;

I - representa el flujo de iones;

H - denota la tasa de pulverización.

Se puede ver en esta ecuación que cuando el dispositivo de sputtering es fijo (es decir, C es el parámetro fijo del dispositivo de sputtering, que generalmente está determinado por parámetros clave como la distancia de la base objetivo al comienzo del diseño) y el gas de trabajo. se selecciona, la mejor manera de mejorar la tasa de deposición es aumentar el flujo de iones I.

La velocidad de formación de la película por pulverización con magnetrón es proporcional a la potencia deseada. Los factores que determinan la tasa de deposición son: la densidad de potencia del área grabada, el área del grabado, la distancia objetivo-base, el material objetivo, la presión del gas, la composición del gas, etc. Los parámetros enumerados anteriormente están organizados aproximadamente en orden de importancia, pero algunos de ellos se influyen mutuamente, como la presión, la densidad de potencia, el área de grabado, etc. Además, las propiedades térmicas y mecánicas del objetivo también limitan la velocidad máxima de pulverización .

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