Deposición de capas atómicas (ALD)
May 09, 2024| La deposición de capas atómicas (ALD) puede considerarse una especie de CVD. Ald es un método para producir películas de compuestos binarios inyectando alternativamente pulsos precursores en fase gaseosa en el reactor y adsorbiéndolos químicamente y reflejándolos en el sustrato de deposición.
El proceso es similar al proceso CVD general, pero la reacción superficial de la deposición de capas atómicas en ALD es autolimitante, es decir, quimisorción autolimitante (CS) y reacción secuencial autolimitante (RS), la reacción química del nuevo atómico. La película está directamente relacionada con la capa anterior, de tal forma que en cada reacción solo se deposita una capa de átomos.
Además de la autorrestricción, en el proceso ALD, el material original debe separarse después de una determinada reacción para controlar el grado de reacción y el espesor de la película final.
En el momento de la separación, el exceso de reactivo y los subproductos de la reacción se eliminan de la cavidad mediante una inyección repentina de una gran cantidad de gas de separación (Ar o N2). Esto asegura que la película pueda precipitar sobre el sustrato de manera ordenada y cuantitativa.
Empresa IKS PVD, máquina de recubrimiento decorativo, máquina de recubrimiento de herramientas, máquina de recubrimiento DLC, máquina de recubrimiento óptico, línea de recubrimiento al vacío PVD, el proyecto llave en mano está disponible. Contáctenos ahora, correo electrónico: iks.pvd@foxmail.com