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  • IBAD IAD IBED viga de Ion asistida por deposición

    IBAD IAD IBED viga de Ion asistida por deposición
    (lon Haz asistido Depositon o Ion viga mejorada la deposición (IBAD o IBED) es una superficie compuesta de tecnología de proceso del Ion que combina la implantación de la viga de Ion con tecnología de deposición deposición del gas y también una nueva tecnología para el tratamiento superficial optimización de la viga de Ion. En el proceso de modificación superficial de material de implantación iónica, esta tecnología de deposición compuesto hace que la película y matriz de mezcla en la interfase causada por la colisión de la cascada causada por la implantación de ion y genera la capa de transición y combina firmemente. Por lo tanto, bombardeo de haz de iones se produce al mismo tiempo como deposición de película. Por lo tanto, es un importante desarrollo de la tecnología de modificación de haz de iones y una nueva tecnología de tratamiento superficial de iones compuesto combina la inyección de iones y la tecnología de la capa.
    Detalles:

    (lon Haz asistido Depositon o Ion viga mejorada la deposición (IBAD o IBED) es una superficie compuesta de tecnología de proceso del Ion que combina la implantación de la viga de Ion con tecnología de deposición deposición del gas y también una nueva tecnología para el tratamiento superficial optimización de la viga de Ion. En el proceso de modificación superficial de material de implantación iónica, esta tecnología de deposición compuesto hace que la película y matriz de mezcla en la interfase causada por la colisión de la cascada causada por la implantación de ion y genera la capa de transición y combina firmemente. Por lo tanto, bombardeo de haz de iones se produce al mismo tiempo como deposición de película. Por lo tanto, es un importante desarrollo de la tecnología de modificación de haz de iones y una nueva tecnología de tratamiento superficial de iones compuesto combina la inyección de iones y la tecnología de la capa.

    ZY10121

    Ventajas:


    1.-viga de ion deposición asistida no requiere de descarga de gas en una cámara de vacío para generar plasma, que puede ser<>


    Capa media reduce la contaminación del gas.


    2. los parámetros de proceso básico (energía de haz de iones, densidad de la viga de ion) son parámetros, y algunos parámetros no eléctricos tales como control de flujo de gas generalmente no son necesarios, que fácilmente puede controlar el crecimiento de la capa de la película, ajustan de la composición, estructura y repetibilidad del proceso de la película.


    3. la superficie de la pieza de trabajo puede ser recubierta con una película completamente diferente a la del sustrato y con un espesor no limitado por la energía de los iones de bombardeo a baja temperatura)<200 ℃).it="" is="" suitable="" for="" the="" surface="" treatment="" of="" electronic="" functional="" film,="" cold="" machining="" precision="" die="" and="" low="" temperature="" tempering="" structural="">


    4. ion Haz asistido es un proceso de no equilibrio controlado a temperatura ambiente. Nuevas películas funcionales como metastable Fase, fase de alta temperatura y aleación amorfa se pueden obtener a temperatura ambiente.



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